硅片抛光剂，硅片清洗剂，硅片
本系列产品适应半导体材料如硅片，锗单晶片，砷化镓晶片的表面抛光工艺，具有去除速率高、使用方便、抛光效果好等特点。
抛光后晶片表面的粗糙度可以达到0.2nm以下，同时可以提高晶片的粗糙度和平行度等，而且无划伤，无抛光雾。
本公司在为用户提供高质量产品的同时，又降低了加工成本，本系列产品是替代进口产品的最佳选择
1. 特点去除速率高：硅片的单位去除速率可以达到0.8-1.5um/min，降低抛光工艺所需要的时间，提高生产效率     
使用方便：本抛光液适用于通用的抛光工艺，      
抛光效果好：抛光表面粗糙度好无划伤，不会出现抛光雾。
2. 使用范围及参数本系列产品适用于直拉、区熔单晶硅，直径φ76-150mm的原始硅片、掺杂硅片的单面双面的抛光；以及其它半导体材料如锗片，砷化镓片等抛光工艺（需要添加抛光助剂）；同时还适用于光学晶体材料如铌酸锂的抛光工艺。
项目型号SiO2含量pH平均粒径/nm稀释倍数主要用途P210021-25%11.0-12.050-8010-15硅片减薄、一次抛光P301528-32%11.5-12.540-7015硅片抛光
蓝宝石抛光剂，半导体抛光剂，半导体清洗剂，精密电子清洗剂，半导体粘接蜡
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