硅片拋光劑，硅片清洗劑，硅片
本系列產品適應半導體材料如硅片，鍺單晶片，砷化鎵晶片的表面拋光工藝，具有去除速率高、使用方便、拋光效果好等特點。
拋光后晶片表面的粗糙度可以達到0.2nm以下，同時可以提高晶片的粗糙度和平行度等，而且無划傷，無拋光霧。
本公司在為用戶提供高質量產品的同時，又降低了加工成本，本系列產品是替代進口產品的最佳選擇
1. 特點去除速率高：硅片的單位去除速率可以達到0.8-1.5um/min，降低拋光工藝所需要的時間，提高生產效率     
使用方便：本拋光液適用於通用的拋光工藝，      
拋光效果好：拋光表面粗糙度好無划傷，不會出現拋光霧。
2. 使用範圍及參數本系列產品適用於直拉、區熔單晶硅，直徑φ76-150mm的原始硅片、摻雜硅片的單面雙面的拋光；以及其它半導體材料如鍺片，砷化鎵片等拋光工藝（需要添加拋光助劑）；同時還適用於光學晶體材料如鈮酸鋰的拋光工藝。
項目型號SiO2含量pH平均粒徑/nm稀釋倍數主要用途P210021-25%11.0-12.050-8010-15硅片減薄、一次拋光P301528-32%11.5-12.540-7015硅片拋光
藍寶石拋光劑，半導體拋光劑，半導體清洗劑，精密電子清洗劑，半導體粘接蠟
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