硅片拋光劑,硅片清洗劑,硅片
本系列產品適應半導體材料如硅片,鍺單晶片,砷化鎵晶片的表面拋光工藝,具有去除速率高、使用方便、拋光效果好等特點。
拋光后晶片表面的粗糙度可以達到0.2nm以下,同時可以提高晶片的粗糙度和平行度等,而且無划傷,無拋光霧。
本公司在為用戶提供高質量產品的同時,又降低了加工成本,本系列產品是替代進口產品的最佳選擇
1. 特點去除速率高:硅片的單位去除速率可以達到0.8-1.5um/min,降低拋光工藝所需要的時間,提高生產效率
使用方便:本拋光液適用於通用的拋光工藝,
拋光效果好:拋光表面粗糙度好無划傷,不會出現拋光霧。
2. 使用範圍及參數本系列產品適用於直拉、區熔單晶硅,直徑φ76-150mm的原始硅片、摻雜硅片的單面雙面的拋光;以及其它半導體材料如鍺片,砷化鎵片等拋光工藝(需要添加拋光助劑);同時還適用於光學晶體材料如鈮酸鋰的拋光工藝。
項目型號SiO2含量pH平均粒徑/nm稀釋倍數主要用途P210021-25%11.0-12.050-8010-15硅片減薄、一次拋光P301528-32%11.5-12.540-7015硅片拋光
藍寶石拋光劑,半導體拋光劑,半導體清洗劑,精密電子清洗劑,半導體粘接蠟
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